Das Czochralski-Verfahren wird zur Herstellung von Silizium-Einkristallen angewendet, bei dem ein Kristall aus der Siliziumschmelze gezogen wird.
Unter Zieh- und Drehbewegungen scheidet sich an einem Kristallisationskeim ein zylindrischer Silizium-Einkristall ab. Für die Schmelze werden bereits hochreine polykristalline Siliziumstücke verwendet, denen je nach gewünschter Dotierung des Einkristalls hochdotiertes Silizium zugegeben wird.