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Das Czochralski-Verfahren wird zur Herstellung von Silizium-Einkristallen angewendet, bei dem ein Kristall aus der Siliziumschmelze gezogen wird.

Unter Zieh- und Drehbewegungen scheidet sich an einem Kristallisationskeim ein zylindrischer Silizium-Einkristall ab. Für die Schmelze werden bereits hochreine polykristalline Siliziumstücke verwendet, denen je nach gewünschter Dotierung des Einkristalls hochdotiertes Silizium zugegeben wird.